半导体CMP晶圆抛光专用旋转接头

半导体CMP晶圆抛光专用旋转接头

专为半导体CMP晶圆抛光设备设计的高纯度洁净室级旋转接头。该产品具有超稳定的旋转性能、无污染的传动以及高循环耐久性,广泛应用于半导体晶圆抛光机、精密芯片加工以及微电子工业的高精度流体输送系统。.

半导体CMP晶圆抛光专用旋转接头

CMP抛光头是CMP抛光系统的核心部件,其主要功能包括吸附晶圆、施加压力、驱动旋转以及集成终点检测。 其结构通过真空吸盘、柔性薄膜和固定环的协同作用实现精确控制,并通过调节背压、下压力和转速等参数来优化抛光效果。 晶圆吸附式抛光头采用真空吸附或机械夹紧方式固定晶圆,确保抛光过程中晶圆稳定且不会移动。例如,真空吸附功能通过负压将晶圆牢固地吸附在抛光头表面,避免滑动或位移,从而确保表面平整度。.
CMP的工作原理是在施加轻微向下压力的同时,利用研磨浆液对晶圆进行抛光。晶圆以面朝下的方式装载到晶圆托盘上,随后将晶圆托盘压在称为压盘的旋转垫片上。 压板和晶圆托盘均在旋转,同时,涂布器将一种称为研磨浆的液体研磨剂涂布到压板上。当晶圆在托盘中旋转时,其上表面会得到缓慢而精细的抛光。这使得晶圆表面光滑平整。最后,对抛光后的晶圆进行冲洗和清洁,以清除所有研磨浆。.

1. 特点
1) 低泄漏率确保设备能够长时间吸附工件;;
2) 小巧的尺寸有助于降低客户设备的高度;;
3) 启动转矩低,设备启动平稳;;
4) 发热量低,可在密闭空间内长期安装;;
5) 模块化设计降低了客户的采购成本;;
使用寿命长,采用机械密封。.

旋转接头

2. 技术指标

 

medium 真空 氮 CDA
压力(千帕) -95 150 150
额定转速(转/分) 250 250 250
泄漏率 所有通道均可在 150KPa@250rpm 条件下使用,泄漏率 ≤ 0.35KPa/min
频道数量 1-12
流体直径(毫米) 3.2